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GA1206A122JBCBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:25:28 查看 阅读:8

GA1206A122JBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟道增强型器件。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换和控制的场景。其设计旨在提供高效率、低导通电阻以及快速开关性能,从而满足现代电子设备对节能和性能的需求。
  该型号中的部分标识表明其封装形式、电压等级、电流能力以及特定的工作环境要求。例如,它可能采用表面贴装技术(SMD)封装,适合自动化生产,并且具备良好的热性能和电气稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:120nC
  开关速度:40ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:D2PAK

特性

GA1206A122JBCBR31G 的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力,这使其在大功率应用中表现出色。此外,它的快速开关特性和低栅极电荷减少了开关损耗,提高了整体效率。
  该器件还具有出色的热稳定性和抗浪涌能力,能够承受瞬时过流和过高结温的情况。同时,它采用了先进的制造工艺,确保了长期可靠性和一致性。
  由于其高可靠性设计,这款 MOSFET 可以在极端环境下保持稳定运行,适用于工业、汽车以及消费类电子产品领域。

应用

该芯片适用于多种功率转换和控制场合,包括但不限于以下应用:
  - 开关电源 (SMPS) 中的主开关管
  - DC-DC 转换器中的同步整流管
  - 电机驱动电路中的功率级
  - 太阳能逆变器中的功率转换模块
  - 汽车电子系统中的负载开关
  其高电流能力和快速开关特性使得 GA1206A122JBCBR31G 成为需要高效功率传输和控制的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP120NF06L
  FDP120AN6

GA1206A122JBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-