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GA1206A121JBLBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:21:08 查看 阅读:6

GA1206A121JBLBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
  该芯片适合在高频和高效率的应用场景中使用,能够显著降低系统功耗并提升整体性能。

参数

型号:GA1206A121JBLBR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):0.12Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):48W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

GA1206A121JBLBR31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,能够支持高频工作,适用于高频开关电源设计。
  3. 高耐压能力,可承受高达120V的漏源电压,保证了在各种复杂电路中的稳定运行。
  4. 良好的热性能,使其能够在高温环境下可靠工作,并且易于散热设计。
  5. 高可靠性,经过严格的测试筛选,确保长期使用的稳定性。
  6. 小尺寸封装,便于PCB布局和安装,同时节省空间。

应用

该芯片广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)设计,如适配器、充电器等。
  2. 电机驱动控制,例如无刷直流电机(BLDC)驱动器。
  3. DC-DC转换器,用于汽车电子和工业自动化领域。
  4. 电池保护电路,防止过充或过放。
  5. 逆变器和UPS不间断电源系统。
  6. 各种需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

GA1206A122JBLBR31G, IRFZ44N, FDP15U60A

GA1206A121JBLBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-