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GA1206A121JBCBR31G 发布时间 时间:2025/5/26 14:06:02 查看 阅读:13

GA1206A121JBCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电源等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频条件下保持高效的性能。
  该芯片主要以N沟道增强型场效应晶体管为核心,适用于要求高效能、低损耗的各种应用场景。同时,其封装形式紧凑,有助于减少整体电路板空间需求。

参数

型号:GA1206A121JBCBR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源极电压(Vds):120V
  连续漏极电流(Id):6.4A
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V ~ 4.5V
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值,Vgs=10V时)
  功耗(PD):75W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

GA1206A121JBCBR31G具有以下显著特性:
  1. 高效节能:超低导通电阻,有效降低功率损耗。
  2. 快速开关能力:具备高频率开关性能,适合高频应用环境。
  3. 热稳定性强:宽温度范围操作,保证在极端条件下的可靠性。
  4. 小型化设计:采用紧凑封装形式,节省PCB布局面积。
  5. 强大的抗干扰能力:内置ESD保护功能,提高系统稳定性。
  6. 环保材料:符合RoHS标准,使用无铅焊接技术。

应用

该芯片可应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 直流/直流转换器的核心元件。
  3. 各类电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 工业自动化设备中的负载开关。
  5. LED照明系统的恒流驱动部分。
  6. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)和启动电路。
  7. 充电器及适配器中的高效功率管理单元。

替代型号

IRFZ44N, STP16NF06L, FQP16N10

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GA1206A121JBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-