时间：2025/5/12 14:49:15
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GA1206A102KBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，主要用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具备优异的电气特性和热性能，适合在开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他电力电子应用中使用。
该芯片属于沟道型 MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
型号：GA1206A102KBEBR31G
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
Id（连续漏极电流）：120A
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：57nC
EAS（雪崩能量）：8.5J
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达 120A 的连续漏极电流。
3. 快速开关特性，具备较小的栅极电荷，适用于高频开关应用。
4. 具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长期运行。
5. 内置 ESD 保护电路，提高了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC 转换器中的同步整流管。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. 工业控制设备中的功率模块。
6. 逆变器和太阳能转换系统中的功率转换元件。
GA1206A101KBEBR31G, IRFP2907, FDP18N60
