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GA1206A101JXCBR31G 发布时间 时间:2025/7/4 8:31:45 查看 阅读:40

GA1206A101JXCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、低损耗的电源管理应用设计。该芯片采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有极低的导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下保持高效的性能表现。
  该型号主要应用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等场景,其封装形式和电气参数经过优化,可满足工业级和消费级电子产品的严格要求。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:6.7A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:18nC
  输入电容:940pF
  总热阻(结到壳):1.5°C/W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

GA1206A101JXCBR31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高频开关应用中减少功率损耗。
  2. 快速开关速度,降低开关损耗并提升系统效率。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品需求。
  5. 小型化封装,便于PCB布局和散热设计。

应用

该芯片适用于广泛的电源管理领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 消费类电子设备中的负载开关
  5. 工业控制中的电机驱动电路

替代型号

GA1206A101JXC, IRF7404, AO3400

GA1206A101JXCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-