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GA1206A100GXBBP31G 发布时间 时间:2025/5/22 20:51:47 查看 阅读:15

GA1206A100GXBBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  其设计目标是为中高压应用场景提供高效的功率转换解决方案,适用于工业控制、消费电子以及通信设备等领域。

参数

型号:GA1206A100GXBBP31G
  类型:N-Channel MOSFET
  工作电压:600V
  导通电阻(典型值):100mΩ
  最大漏极电流:10A
  栅极电荷:15nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-247

特性

GA1206A100GXBBP31G 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:能够承受高达 600V 的工作电压,适合多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻:典型值为 100mΩ,在高电流条件下可显著降低功耗。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷(15nC),有助于提高效率并减少开关损耗。
  4. 稳定性强:具备优异的抗雪崩能力和热稳定性,能够在严苛的工作环境下可靠运行。
  5. 封装优势:采用 TO-247 封装,提供良好的散热性能和机械强度。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源:用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动:支持高效电机控制和驱动,适用于家用电器和工业设备。
  3. 工业自动化:在各种工业控制电路中作为关键功率元件。
  4. 通信设备:为通信基站和网络设备提供稳定可靠的功率管理方案。

替代型号

IRF840
  STP10NK60Z
  FQP13N60

GA1206A100GXBBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容10 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-