类型：IGBT模块
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：200A
　　短路耐受能力：支持
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：双列直插式封装（Dual-in-Line Package, DIP）
　　封装尺寸：约130mm x 65mm（根据具体封装版本可能略有不同）
　　芯片技术：富士第7代IGBT芯片
　　热阻（Rth）：约0.25°C/W（模块内部）
　　绝缘耐压等级：符合IEC 60664-1标准

SKM200GAR120D 采用富士电机先进的IGBT芯片制造技术，具备出色的电气性能和热稳定性。其主要特性包括：
　　? 低导通压降：该模块的IGBT芯片具有低导通压降特性，能够在高电流下保持较低的功率损耗，从而提升系统效率。
　　? 低开关损耗：通过优化芯片结构和门极驱动设计，该模块在高频开关应用中表现出较低的开关损耗，适用于高效率逆变器和变频器系统。
　　? 高短路耐受能力：模块内部的IGBT芯片具备良好的短路耐受能力，能够在异常工况下提供更强的保护性能，提升系统的稳定性和可靠性。
　　? 高集成度设计：模块集成了IGBT芯片和续流二极管（FWD），采用紧凑的封装结构，便于安装和散热设计。
　　? 优良的散热性能：模块采用高效的散热结构设计，热阻较低，能够有效将热量传导至外部散热器，确保长时间高负载运行下的稳定性。
　　? 高可靠性封装：模块采用密封式封装设计，具备良好的防潮、防尘和抗振动能力，适用于工业环境较为恶劣的场合。

SKM200GAR120D 广泛应用于各种中高功率电力电子设备中，包括：
　　? 变频器（Variable Frequency Drives, VFDs）：用于工业电机控制，提供高效的频率和电压调节功能。
　　? 逆变器（Inverters）：用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等系统，实现直流到交流的高效转换。
　　? 电机驱动系统：适用于高性能电机控制，如伺服驱动器和工业机器人。
　　? 工业自动化设备：用于自动化生产线中的电力控制单元，提供高稳定性和高效能的功率开关。
　　? 电动汽车充电设备：用于充电桩和车载充电器中，作为核心功率转换器件。

SKM200GB12T4V1, SKM200GB128D