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GA0805Y822JBXBT31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:22:54 查看 阅读:7

GA0805Y822JBXBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频开关应用设计。该型号采用先进的半导体制造工艺,能够显著降低导通和开关损耗,适用于电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
  其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,这些特性使其在高电流密度的应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:55nC
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-247

特性

GA0805Y822JBXBT31G 具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少导通损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关性能,有助于降低开关损耗并在高频下保持高效运行。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 优化的热阻设计,确保在高功率条件下具有良好的散热性能。
  5. 支持宽广的工作温度范围,适应各种严苛环境下的应用需求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动车辆中的逆变器模块和电池管理系统。
  3. 工业自动化设备中的电机控制与驱动。
  4. LED驱动器中的功率级控制元件。
  5. 充电器和适配器中的高效功率转换电路。

替代型号

GA0805Y822KAXBT31G, IRFZ44N, FDP5500

GA0805Y822JBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-