时间：2025/6/29 5:26:27
阅读：6
GA0805Y821JBCBR31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，专为高频、高效和高功率密度的应用设计。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造，具有卓越的开关性能和低导通电阻。其主要应用领域包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动以及工业逆变器等。该型号还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下保持稳定的电气性能。
此外，这款 GaN 晶体管内置了保护功能，如过流保护（OCP）和过温保护（OTP），以提高系统安全性。通过优化的封装设计，它能够有效降低寄生电感和热阻，从而提升整体效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：8A
导通电阻：150mΩ
栅极阈值电压：1.8V~4.0V
开关速度：纳秒级
工作温度范围：-40℃~+150℃
封装形式：TO-247
1. 高效的开关性能，适用于高频操作环境。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
3. 内置多重保护机制，增强系统的安全性和稳定性。
4. 封装设计紧凑，便于 PCB 布局和散热管理。
5. 支持宽禁带半导体技术，相比传统硅基 MOSFET 提供更高的功率密度和更小的体积。
6. 在高频条件下仍能维持较低的开关损耗，非常适合高效率电源转换场景。
1. 开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
2. DC-DC 转换器，特别是电动汽车中的车载充电器。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 工业电机驱动和变频器。
5. 快速充电器和其他消费类电子产品中的电源解决方案。
6. 通信基站电源模块。
GAN008-650WSA, GS66508B, EPC2016C
