GA0805Y681MBCBR31G 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的高频率射频放大器芯片,主要用于无线通信、雷达系统以及卫星通信等高频应用场景。该芯片设计针对高频段信号的线性放大需求,具备高增益、低噪声和高输出功率的特点。其内部集成了匹配网络和偏置电路,从而简化了外部电路设计并提升了系统的稳定性和可靠性。
此芯片适合需要在苛刻环境下工作的高性能射频系统,能够支持较宽的工作温度范围,并提供稳定的性能表现。
工作频率:5GHz-8GHz
增益:20dB
输出功率(1dB压缩点):28dBm
饱和输出功率:30dBm
噪声系数:4dB
电源电压:5V
静态电流:200mA
封装形式:QFN 3x3mm
工作温度范围:-40℃至+85℃
1. 高线性度与增益,适用于多载波及复杂调制信号放大的场景。
2. 内部集成有源偏置电路,确保器件在不同环境条件下的稳定性。
3. 提供较高的输出功率,满足现代通信系统对信号强度的需求。
4. 封装紧凑,易于集成到小型化或便携式设备中。
5. 支持宽带操作,覆盖多个常见的射频频段。
6. 良好的热性能设计,能够在高温环境下长期可靠运行。
7. 具备良好的抗干扰能力,降低外部因素对性能的影响。
1. 点对点微波通信系统中的信号放大。
2. 雷达接收机前端的低噪声放大。
3. 卫星通信地面站的上行链路放大。
4. 5G基站及其他无线基础设施中的功率放大。
5. 医疗成像设备中的高频信号处理。
6. 工业自动化控制系统中的无线数据传输模块。
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