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GA0805Y394MXJBR31G 发布时间 时间:2025/6/6 13:57:04 查看 阅读:21

GA0805Y394MXJBR31G 是一款由知名半导体制造商推出的高性能 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该型号属于功率 MOSFET 类别,广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
  这款元器件采用了先进的制程工艺,能够提供低导通电阻和高开关速度,从而提升系统效率并降低功耗。其封装形式通常为紧凑型表面贴装设计,适合现代电子设备对小型化和高效能的需求。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  漏源电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):20A
  栅极电荷(Qg):25nC
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装:TO-LEADLESS

特性

GA0805Y394MXJBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 具备出色的热性能,确保在高负载条件下的稳定运行。
  4. 强大的抗 ESD 能力,增强可靠性。
  5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  6. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (Switching Power Supplies) 中作为主开关元件。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流或高端开关。
  3. 电机驱动电路中用于控制电流流向。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和能量分配。
  6. 汽车电子系统中的电源管理和信号处理。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5570
  AO3400

GA0805Y394MXJBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.39 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-