时间：2025/4/30 12:06:30
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FHW1812IFR33JST 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片，广泛应用于工业和消费类电子设备中的高频开关电源、充电器和适配器。该器件采用小型化的 QFN 封装形式，能够显著提升功率密度并降低系统能耗。
FHW1812IFR33JST 内部集成了高侧和低侧驱动电路，支持高达 100V 的工作电压，并且具有极低的导通电阻 (Rds(on))，从而在高频应用中实现更少的开关损耗和传导损耗。
型号：FHW1812IFR33JST
封装：QFN
额定电压：100V
额定电流：18A
导通电阻：33mΩ
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
栅极电荷：16nC
反向恢复时间：40ns
结温：175°C
最大功耗：1.5W
FHW1812IFR33JST 提供了卓越的性能表现，主要体现在以下方面：
1. 超低导通电阻 (33mΩ)，有效减少传导损耗，适用于高效率应用场景。
2. 支持高频操作，最高可达 2MHz，可大幅减小无源元件体积，提升功率密度。
3. 集成快速恢复二极管功能，简化设计复杂度并优化动态性能。
4. 具备强大的热管理能力，能够在较高环境温度下稳定运行。
5. 内置过流保护、短路保护及过温关断功能，确保系统可靠性。
6. 满足 AEC-Q101 标准认证，适用于汽车级应用需求。
FHW1812IFR33JST 主要应用于需要高性能功率转换的领域，包括但不限于：
1. 手机快速充电器和 USB-PD 适配器。
2. 笔记本电脑和台式机电源。
3. 数据中心服务器电源模块。
4. 汽车电子系统中的 DC-DC 转换器。
5. 工业电机驱动和逆变器控制。
6. LED 照明驱动电路。
7. 可再生能源发电系统中的功率调节单元。
FHW1812IFR28JST, FHW1812IFR38JST, FHW1812IFR45JST
