GA0805Y332MXABP31G 是一种高精度、低功耗的薄膜片式多层陶瓷电容器(MLCC),适用于高频和射频电路应用。该电容器具有优异的温度稳定性和低ESR特性,能够满足严苛环境下的高性能需求。其结构设计使其具备良好的抗机械应力能力,并能适应表面贴装工艺的要求。
该型号通常用于滤波、耦合、旁路和去耦等场景,广泛应用于通信设备、消费电子、汽车电子等领域。
封装:0805
容量:33pF
额定电压:50V
容差:±5%
温度特性:C0G/NP0
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
DC偏压特性:低影响
ESR(等效串联电阻):极低
尺寸(长x宽):2.0mm x 1.25mm
GA0805Y332MXABP31G 的主要特性包括:
1. 高精度容量:采用C0G/NP0介质材料,具有极高的稳定性,容量随温度变化几乎为零。
2. 超低ESR:优化的内部结构使得其在高频应用中表现卓越,减少了能量损耗。
3. 宽工作温度范围:能够在极端温度条件下保持性能不变,适用于各种恶劣环境。
4. 小型化设计:采用标准0805封装,适合高密度电路板设计。
5. 抗机械应力能力强:独特的制造工艺确保其在振动或冲击环境下仍能正常工作。
6. 符合RoHS标准:环保无铅设计,满足国际环保要求。
该电容器适用于以下应用场景:
1. 滤波电路:在电源系统中用作高频噪声抑制。
2. 耦合与解耦:用于信号链中的级间耦合或电源去耦。
3. 高频射频电路:适用于无线通信设备中的谐振、匹配和滤波。
4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
5. 工业控制设备:用于精密仪器仪表中的信号处理。
6. 汽车电子:在车载娱乐系统和传感器模块中使用。
GA0805YC332JXABP31G
GA0805YC332KXABP31G
CL05A330GHQNNNC
C0G33PF50V0805