容量：80 Mbit (10 MB)
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　接口类型：SPI
　　封装类型：8-SOIC
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大时钟频率：80 MHz
　　写入周期：100,000 次（典型）
　　数据保留时间：20 年（典型）

W25Q80BVSSIG 提供了多种高级功能和性能优势，使其成为多种应用场景的理想选择。该芯片支持标准 SPI 模式，以及高速的双输出和四输出 SPI 模式，显著提升了数据读取和写入的速度。芯片的擦写寿命高达 100,000 次，数据保留时间可达 20 年，确保了长期稳定的数据存储。此外，W25Q80BVSSIG 还具备低功耗设计，适合电池供电设备使用。芯片内部集成了多种保护机制，如写保护寄存器和状态寄存器锁定功能，防止意外数据写入和修改。该芯片还支持 JEDEC 标准的制造商和设备 ID 识别，便于系统集成和调试。
　　为了增强其在复杂环境中的可靠性，W25Q80BVSSIG 提供了多种安全功能，包括软件和硬件写保护、块锁定保护以及 OTP（一次性可编程）区域，用于存储敏感数据或安全密钥。这些特性使得该芯片在需要高安全性和稳定性的应用中表现优异。

W25Q80BVSSIG 适用于多种嵌入式系统和消费类电子产品，包括但不限于工业控制系统、物联网（IoT）设备、智能电表、车载娱乐系统、数码相机、手持设备和无线模块等。其大容量存储能力、高速数据访问性能和低功耗设计，使其特别适合需要频繁更新或存储大量数据的应用场景。例如，在物联网设备中，该芯片可用于存储固件、配置文件和传感器数据；在智能电表中，可用于存储历史能耗数据和通信协议；在车载系统中，可用于存储导航数据和多媒体内容。

W25Q80JVSSIG, W25Q80DVSSIG