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GA0805Y223MBXBT31G 发布时间 时间:2025/7/9 18:53:34 查看 阅读:15

GA0805Y223MBXBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等场景。该芯片具有低导通电阻、高效率和出色的热性能,能够有效降低系统功耗并提升整体可靠性。
  此型号属于沟道增强型 MOSFET,采用先进的制造工艺,具备优秀的电气特性和稳定性,适用于多种工业及消费类电子设备。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  工作电压:40V
  连续漏极电流:70A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:60nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0805Y223MBXBT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用场合。
  3. 出色的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  4. 快速开关速度,降低了开关损耗。
  5. 高可靠性和长寿命设计,适用于严苛的工作条件。
  6. 宽工作温度范围,支持从低温到高温的应用场景。
  7. 封装形式坚固耐用,便于安装和散热管理。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和适配器设计。
  2. 电机驱动控制,如电动车、家用电器中的电机控制。
  3. DC-DC 转换器和逆变器。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 太阳能微逆变器和其他新能源相关产品。
  6. 电池保护和管理系统(BMS)。
  其高效能和可靠性使其成为上述应用的理想选择。

替代型号

GA0805Y222MBXBT31G, IRF840, FDP5570N

GA0805Y223MBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-