时间：2025/5/16 12:10:00
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GA0805Y222KBCBT31G 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效应用场景设计。该器件采用了先进的封装技术，具备卓越的开关性能和低导通电阻特性，适合于电源管理、无线充电、D类音频放大器等应用领域。
该型号是高度优化的功率半导体器件，具有出色的热性能和可靠性，在高频率工作条件下能够提供高效的功率转换，同时保持较低的损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：70nC
开关速度：高达1MHz
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247-3
1. 基于 GaN 技术，具备更低的导通电阻和更高的效率。
2. 支持高频工作模式，适合要求苛刻的电力电子系统。
3. 内置保护功能，可防止过压及短路损坏。
4. 高度集成设计，减少了外部元件的需求，简化了电路设计。
5. 热性能优异，能够在高温环境下稳定运行。
6. 封装坚固耐用，符合工业标准，易于焊接和安装。
1. 开关电源（SMPS）
2. 无线充电模块
3. D类音频放大器
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车充电桩
6. 数据中心供电单元
GAN0805Y222KBCB, GA0805Y222KBCBT30G
