时间：2025/5/6 20:54:53
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CSD25202W15是一款由TI（德州仪器）生产的N沟道增强型功率MOSFET。它采用了先进的制程技术，专为高频开关应用设计，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
该器件广泛应用于消费电子、工业设备以及通信领域中的DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动等场景。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：40A
导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：36nC
反向恢复时间(trr)：75ns
工作温度范围(TJ)：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 快速开关性能，减少开关损耗。
4. 增强的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 小型封装尺寸（例如WSON），节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保友好。
7. 提供优异的EMI性能。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 降压或升压型DC-DC转换器。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 电动工具及家用电器的电机驱动。
5. 可再生能源系统中的功率调节。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
CSD19502Q5A, CSD18504Q5A
