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GA0805Y123KXABP31G 发布时间 时间:2025/6/3 18:30:42 查看 阅读:5

GA0805Y123KXABP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,适用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用了先进的制造工艺,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。其低导通电阻设计有助于降低功耗并提升系统效率,同时具备良好的热稳定性和抗浪涌能力。
  这种功率MOSFET广泛应用于各类工业电子设备、消费类电子产品及通信设备中,例如适配器、充电器、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:34A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):65nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-220

特性

GA0805Y123KXABP31G 的主要特点是其低导通电阻设计,这使得它在大电流应用场景下具有较低的功耗损失。此外,该器件还具备以下优势:
  1. 高效的开关性能,可满足高频工作的需求。
  2. 强大的散热能力,确保长时间运行时的稳定性。
  3. 良好的短路耐受能力,增强了系统的可靠性。
  4. 小型化封装设计,适合紧凑型电路板布局。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应各种环境条件下的使用。

应用

该功率MOSFET 芯片可以用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 各类电池充电器及适配器。
  3. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
  4. 汽车电子中的负载开关和继电器替代方案。
  5. 工业自动化设备中的功率调节与管理模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06L
  FDP5800

GA0805Y123KXABP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-