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GA0805Y122JBCBT31G 发布时间 时间:2025/5/29 19:37:21 查看 阅读:7

GA0805Y122JBCBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  这款功率MOSFET支持大电流操作,能够在高频条件下实现高效的能量转换,同时具备良好的稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  工作电压:60V
  最大漏源电流:90A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷:47nC
  输入电容:2200pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0805Y122JBCBT31G 的主要特点是其卓越的电气性能和稳定性。其低导通电阻可以有效降低传导损耗,提高整体系统效率。
  此外,它具有快速的开关能力,能够适应高频应用需求,并且内置了保护机制以防止过流和过热现象的发生。
  该器件还拥有较高的雪崩能量耐受能力,从而增强了其在恶劣环境中的可靠性和耐用性。
  其紧凑型封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。

应用

该元器件适用于多种工业领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源(SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
  2. 各种类型的电机驱动电路,例如步进电机、直流无刷电机等。
  3. 高效DC-DC转换器的设计与实现。
  4. 电池管理系统(BMS) 中的关键组件。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 电动汽车(EV) 和混合动力汽车(HEV) 的逆变器及充电系统。

替代型号

GA0805Y122JBBCT31G, IRFZ44N, FDP150AN6S

GA0805Y122JBCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-