您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF3610SPBF

IRF3610SPBF 发布时间 时间:2025/6/29 12:47:17 查看 阅读:6

IRF3610SPBF是一款由Vishay公司生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用TO-247封装形式。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点,适合用于开关电源、DC/DC转换器、逆变器以及其他需要高效能功率管理的应用场景。
  IRF3610SPBF通过优化的芯片设计和封装工艺,在高频开关应用中表现出优异的性能,并且能够承受较高的瞬态电流和电压冲击。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:85A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:89nC
  总电容:1300pF
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

IRF3610SPBF具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在标准条件下仅为3.5mΩ,这有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高耐压能力,其最大漏源电压可达55V,适用于多种中等电压应用场景。
  3. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷和输出电荷,能够在高频应用中保持高效表现。
  4. 大电流承载能力,连续漏极电流高达85A,确保在高负载条件下稳定运行。
  5. 宽工作温度范围(-55℃到+175℃),适应极端环境下的使用需求。
  6. 符合RoHS标准,满足环保要求。

应用

IRF3610SPBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC/DC转换器,包括降压、升压以及升降压拓扑结构。
  3. 电动机驱动电路,特别适用于大电流电机控制。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换元件。
  5. 工业逆变器及不间断电源(UPS)系统。
  6. 各种高效能功率管理模块。

替代型号

IRF3610,
  STP85NE06,
  INFINEON IPW80N06S

IRF3610SPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF3610SPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C103A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.6 毫欧 @ 62A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5380pF @ 25V
  • 功率 - 最大333W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装管件