时间：2025/6/25 10:30:56
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GA0805H821MXBBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。该芯片采用先进的制程工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其设计旨在优化功率密度和效率，适用于需要高能效和小尺寸解决方案的应用场景。
型号：GA0805H821MXBBP31G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：25nC
输入电容(Ciss)：1350pF
输出电容(Coss)：270pF
反向传输电容(Crss)：80pF
功耗(PD)：110W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
GA0805H821MXBBP31G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 高击穿电压设计，确保在高压条件下的可靠性。
4. 内置 ESD 保护电路，提升器件的抗静电能力。
5. 小型封装选项，有助于减少 PCB 占用面积。
6. 出色的热稳定性，能够在极端温度范围内保持性能一致性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
该芯片广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器，包括降压、升压和升降压拓扑。
3. 电机驱动和控制，例如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 通信设备中的电源管理单元。
6. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
7. 可再生能源系统中的逆变器和控制器。
GA0805H821MXBBP32G, IRF840, FDP5500
