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GA0805H681KBABR31G 发布时间 时间:2025/5/29 12:58:24 查看 阅读:11

GA0805H681KBABR31G 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高效率功率开关器件,专为高频和高功率密度应用而设计。该器件采用先进的增强型 GaN 晶体管技术,具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。它适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电源适配器、快充设备以及电机驱动等场景。
  该芯片通过优化栅极驱动特性,有效降低了开关损耗,同时具备强大的短路保护能力,能够在高频工作条件下提供稳定的性能表现。

参数

类型:增强型 GaN HEMT
  导通电阻:24 mΩ
  击穿电压:650 V
  最大漏极电流:8 A
  栅极驱动电压:5.5 V(典型值)
  开关频率:高达 2 MHz
  封装形式:KGD(裸芯)

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在高负载下保持高效运行。
  2. 支持高达 2 MHz 的开关频率,能够显著减小无源元件的体积,提升功率密度。
  3. 内置优化的 ESD 保护电路,增强芯片的抗静电能力。
  4. 短路耐受时间长,适合复杂工况下的可靠运行。
  5. 高温稳定性强,可在 -40°C 至 +125°C 的结温范围内稳定工作。
  6. 具备较低的栅极电荷(Qg),有助于减少驱动损耗并简化驱动设计。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. USB PD 快充适配器的核心功率器件。
  3. 通信电源及服务器电源模块中的高频 DC-DC 转换器。
  4. 小型化电机驱动逆变器的关键组件。
  5. 高频谐振转换器(LLC 或其他拓扑)中的功率级器件。
  6. 工业电源及 LED 驱动电源中的功率开关。

替代型号

GAN063-650WSA
  GS66502B
  TP65H090G4L

GA0805H681KBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-