时间：2025/5/29 12:58:24
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GA0805H681KBABR31G 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高效率功率开关器件，专为高频和高功率密度应用而设计。该器件采用先进的增强型 GaN 晶体管技术，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。它适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电源适配器、快充设备以及电机驱动等场景。
该芯片通过优化栅极驱动特性，有效降低了开关损耗，同时具备强大的短路保护能力，能够在高频工作条件下提供稳定的性能表现。
类型：增强型 GaN HEMT
导通电阻：24 mΩ
击穿电压：650 V
最大漏极电流：8 A
栅极驱动电压：5.5 V（典型值）
开关频率：高达 2 MHz
封装形式：KGD（裸芯）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高负载下保持高效运行。
2. 支持高达 2 MHz 的开关频率，能够显著减小无源元件的体积，提升功率密度。
3. 内置优化的 ESD 保护电路，增强芯片的抗静电能力。
4. 短路耐受时间长，适合复杂工况下的可靠运行。
5. 高温稳定性强，可在 -40°C 至 +125°C 的结温范围内稳定工作。
6. 具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动损耗并简化驱动设计。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. USB PD 快充适配器的核心功率器件。
3. 通信电源及服务器电源模块中的高频 DC-DC 转换器。
4. 小型化电机驱动逆变器的关键组件。
5. 高频谐振转换器（LLC 或其他拓扑）中的功率级器件。
6. 工业电源及 LED 驱动电源中的功率开关。
GAN063-650WSA
GS66502B
TP65H090G4L
