时间：2025/7/12 4:44:24
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GA0805H562MBABR31G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
这款 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理模块以及其他需要高效功率切换的场景。
型号：GA0805H562MBABR31G
类型：N-Channel MOSFET
工作电压(Vds)：30V
持续漏极电流(Id)：47A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
栅极电荷(Qg)：30nC
总功耗(Ptot)：20W
封装形式：TO-263-3
GA0805H562MBABR31G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.5mΩ，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力 (47A)，使其适用于大功率应用。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷 (Qg = 30nC)，能够实现高效的高频操作。
4. 出色的热稳定性，支持长时间稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代设计中。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 汽车电子系统，例如电动窗、座椅调节和电池管理系统。
5. 各种消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP55N06L
