时间：2025/6/20 19:30:29
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GA0805H562JXABC31G 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和快速开关速度，适用于多种高效率、高频率的电力电子应用。其封装形式为 TO-220，能够提供良好的散热性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：25nC
开关频率：500kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
该功率 MOSFET 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
其次，它具备快速开关能力，可以适应高频应用场景，例如开关电源或 DC-DC 转换器。
此外，TO-220 封装设计使其拥有出色的散热性能，能够承受较高的功率密度。
此器件还具有较低的输入电容和输出电容，进一步提升了整体效率与稳定性。
最后，其耐压能力高达 650V，适用于各种高压场景，确保了电路运行的安全性和可靠性。
GA0805H562JXABC31G 广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率管理的领域。
在工业控制中，该器件可用于调节和驱动负载，如步进电机和伺服电机。
此外，它也适合家用电器中的节能设计，如空调压缩机驱动和电磁炉控制。
由于其高频特性和高压耐受能力，这款 MOSFET 还可应用于太阳能逆变器和电动汽车充电桩等新能源相关产品。
IRF840,
FQP07N60,
STP8NK60Z
