时间：2025/5/22 15:49:39
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GA0805H561MBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
该芯片属于沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、LED 驱动器以及消费类电子设备中的功率管理模块。
型号：GA0805H561MBBBR31G
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压 Vds：40V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：80A
导通电阻 Rds(on)：1.5mΩ @ Vgs=10V
总功耗：27W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
开关频率：支持高达 1MHz
GA0805H561MBBBR31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（1.5mΩ），能够在高电流条件下减少功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高达 1MHz 的开关频率，适合高频应用。
3. 提供出色的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
4. 高雪崩能量能力，增强系统在异常条件下的鲁棒性。
5. 小型化封装设计（TO-252），节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
7. 内置 ESD 保护功能，提高芯片的抗静电能力。
GA0805H561MBBBR31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 消费类电子产品，如笔记本电脑适配器、智能手机充电器。
3. LED 照明驱动电路。
4. 电动工具和小型家电的电机驱动。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器和电池管理系统（BMS）。
