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GA0805H393JBXBR31G 发布时间 时间:2025/5/23 8:04:37 查看 阅读:16

GA0805H393JBXBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于 GaN(氮化镓)基技术产品。该芯片采用先进的封装设计,具有低导通电阻、高开关速度和卓越的热性能,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及负载点 (POL) 转换器等领域。
  该器件利用氮化镓材料的独特优势,在高频应用中展现出优异的效率表现,并能显著减少系统尺寸和重量。

参数

类型:功率 MOSFET
  材料:GaN(氮化镓)
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大连续漏极电流(Id):8A
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ
  栅极电荷(Qg):70nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220
  输入电容(Ciss):2200pF

特性

GA0805H393JBXBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能使得该芯片适合高频应用场合,可显著减小磁性元件体积。
  3. 内置过温保护功能,确保在极端条件下的可靠性。
  4. 具备快速恢复能力,能够承受较高的dv/dt应力,适用于硬开关电路。
  5. 采用先进的封装技术,优化了散热路径,增强了热管理能力。
  6. 宽泛的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
  7. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - 用于AC-DC转换器中的PFC级和主变换级,提供高效能量转换。
  2. DC-DC 转换器:
   - 在隔离式和非隔离式转换器中作为主开关管使用。
  3. 负载点(POL) 转换器:
   - 提供快速动态响应和高效率,满足现代数字负载需求。
  4. 光伏逆变器:
   - 实现高效的直流到交流转换,支持绿色能源发展。
  5. 电机驱动器:
   - 用于无刷直流电机控制,提供精确的速度调节和位置控制。
  6. 快速充电器:
   - 在便携式设备充电解决方案中发挥重要作用,实现更快的充电速度。

替代型号

GA0805H393JBXBR32G
  GA0805H393JBXBR33G

GA0805H393JBXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.039 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-