GA0805H333MBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
此芯片适用于工业控制、消费类电子以及汽车电子领域,凭借其紧凑的封装设计和强大的电气特性,能够满足多种复杂应用场景的需求。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:90A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷:68nC
反向恢复时间:15ns
工作结温范围:-55℃ to 175℃
封装形式:TO-247
GA0805H333MBABT31G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗,提升整体系统效率。
2. 高速开关性能,支持高频工作条件下的稳定运行。
3. 强大的散热能力,适合高功率密度的应用场景。
4. 良好的热稳定性和可靠性,确保在极端温度环境下依然保持出色的性能。
5. 封装坚固耐用,便于安装和维护,同时提升了产品的机械强度。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 汽车电子系统,例如电动车窗、座椅调节和空调压缩机控制等。
5. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品。
6. 各种需要高效功率转换的电子设备中。
IRFZ44N
STP90NF06L
FDP9771
IXYS IXFN90N06L2