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GA0805H333MBABT31G 发布时间 时间:2025/6/4 10:51:00 查看 阅读:6

GA0805H333MBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
  此芯片适用于工业控制、消费类电子以及汽车电子领域,凭借其紧凑的封装设计和强大的电气特性,能够满足多种复杂应用场景的需求。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:90A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:68nC
  反向恢复时间:15ns
  工作结温范围:-55℃ to 175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0805H333MBABT31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频工作条件下的稳定运行。
  3. 强大的散热能力,适合高功率密度的应用场景。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,确保在极端温度环境下依然保持出色的性能。
  5. 封装坚固耐用,便于安装和维护,同时提升了产品的机械强度。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  4. 汽车电子系统,例如电动车窗、座椅调节和空调压缩机控制等。
  5. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品。
  6. 各种需要高效功率转换的电子设备中。

替代型号

IRFZ44N
  STP90NF06L
  FDP9771
  IXYS IXFN90N06L2

GA0805H333MBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-