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GA0805H273JBBBT31G 发布时间 时间:2025/5/10 9:20:00 查看 阅读:2

GA0805H273JBBBT31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,专为无线通信系统中的信号放大设计。该芯片采用先进的 GaAs(砷化镓)工艺制造,能够提供高增益、高效率和低失真的性能表现,适用于 4G 和 5G 基站以及无线通信模块等场景。

参数

型号:GA0805H273JBBBT31G
  工作频率范围:700 MHz 至 6 GHz
  输出功率:30 dBm
  增益:18 dB
  电源电压:5 V
  静态电流:200 mA
  封装形式:QFN-32
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA0805H273JBBBT31G 的主要特性包括:
  1. 高线性度:在宽频率范围内表现出优异的线性放大能力,满足现代通信系统的严格要求。
  2. 高效率:采用 Doherty 架构优化功耗表现,适合长期运行的基站设备。
  3. 内置匹配网络:减少了外部元件的需求,简化了电路设计并降低了成本。
  4. 保护功能:具备过热保护和负载牵引保护机制,确保芯片在异常条件下安全运行。
  5. 小型化封装:QFN-32 封装形式有助于减小 PCB 空间占用,提升整体集成度。
  6. 宽带支持:覆盖从 700 MHz 到 6 GHz 的高频段,适应多种通信协议和标准。

应用

GA0805H273JBBBT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 4G/5G 基站收发信机:
   - 提供稳定的射频信号放大全链路支持。
  2. 射频前端模块:
   - 匹配滤波器和其他组件形成完整的射频解决方案。
  3. 工业物联网 (IIoT) 设备:
   - 支持长距离无线数据传输需求。
  4. 卫星通信终端:
   - 实现高效信号放大的同时降低功耗。
  5. 移动热点设备:
   - 提升无线网络覆盖范围和连接稳定性。

替代型号

GA0805H273JBBB, GA0805H273JBBBT

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GA0805H273JBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-