HV1812是一款由ON Semiconductor(安森美)推出的高压半桥驱动器芯片,主要应用于需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的场景。该芯片能够提供高达600V的耐压能力,并且支持多种工作模式,适用于电机驱动、开关电源、逆变器以及其他工业控制应用。
其设计特点是采用了先进的高压工艺技术,能够在高噪声环境下保持稳定的性能表现。此外,HV1812还集成了多种保护功能,例如过流保护、欠压锁定(UVLO)和短路保护等,从而提高了系统的可靠性和安全性。
供电电压:15V~40V
逻辑输入电压:3V~15V
输出驱动电流:峰值电流±4.5A
死区时间可调:支持外部电阻调节
工作温度范围:-40℃~125℃
封装形式:SOIC-8
HV1812具备以下主要特性:
1. 高压浮动通道设计,支持高达600V的耐压能力。
2. 内置电平位移电路,允许直接驱动N沟道MOSFET或IGBT。
3. 支持独立的高低边驱动,确保精确的时序控制。
4. 提供可调节的死区时间设置,避免交叉导通问题。
5. 内部集成自举二极管,简化外部元件设计。
6. 集成多种保护功能,包括欠压锁定、短路保护和过温保护。
7. 宽工作电压范围,适应不同应用场景需求。
8. 符合RoHS标准,环保友好。
HV1812广泛应用于以下领域:
1. 无刷直流电机(BLDC)驱动控制。
2. 开关电源(SMPS)中的功率级驱动。
3. 逆变器和UPS系统中的功率转换。
4. 工业自动化设备中的功率模块控制。
5. LED驱动器中的功率级管理。
6. 各类家电产品中的电机驱动控制,如空调、洗衣机等。
HV1811
HV915
IR2110