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GA0805H272KBBBT31G 发布时间 时间:2025/6/9 17:05:09 查看 阅读:19

GA0805H272KBBBT31G 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管,主要用于功率转换和开关应用。该型号属于沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效功率控制的场景中。
  其封装形式为标准 TO-263(DPAK),具备良好的散热性能和可靠性,适用于高功率密度设计。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:45A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:39nC
  总电容:1040pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA0805H272KBBBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频操作环境。
  3. 高电流承载能力,能够支持大功率应用需求。
  4. 强大的热性能表现,确保在高温条件下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
  6. 封装坚固耐用,易于集成到各类 PCB 设计中。

应用

该芯片的应用领域非常广泛,主要包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制电路。
  3. 汽车电子中的4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. UPS 不间断电源和其他备用电源解决方案。
  6. 各种消费类电子产品中的功率管理单元。

替代型号

GA0805H272KBBBT21G
  IRF3205
  AOT280L
  FDP5500
  STP45NF06L

GA0805H272KBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-