时间：2025/5/23 4:39:33
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NTB75N03L09T4G 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于多种功率转换和开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛用于工业、消费电子和汽车领域。
型号：NTB75N03L09T4G
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源极击穿电压（Vds）：30 V
连续漏极电流（Id）：75 A
导通电阻（Rds(on)）：1.6 mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：27 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：4800 pF（典型值）
总功耗：250 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
NTB75N03L09T4G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗。
2. 高额定电流能力（75A），适合大功率应用。
3. 快速开关特性，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下运行。
5. 小型封装设计，有助于节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这些特性使 NTB75N03L09T4G 成为高效功率转换的理想选择，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。
NTB75N03L09T4G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电动机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统。
5. 汽车电子系统，如 DC-DC 转换器和启动电机控制。
6. 各类负载开关和保护电路。
由于其出色的电气特性和耐用性，这款 MOSFET 特别适合对效率和可靠性要求较高的场景。
NTB75N03L07T4G, IRF7727, FDP077N03L
