时间：2025/6/20 19:25:55
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GA0805H182JBXBT31G 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高效功率转换芯片，主要用于高频开关电源、DC-DC 转换器和充电器等应用。该器件采用了先进的 GaN FET 技术，具备低导通电阻、高开关频率和卓越的热性能，使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。
这款芯片集成了驱动器和保护功能，能够显著简化电路设计并提高系统可靠性。其封装形式为小型化的 BGA 封装，适合高密度布局的应用场景。
型号：GA0805H182JBXBT31G
类型：GaN 功率晶体管
导通电阻（Rds(on)）：40 mΩ
额定电压：650 V
额定电流：8 A
栅极电荷：12 nC
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：BGA
最大开关频率：5 MHz
GA0805H182JBXBT31G 具有以下关键特性：
1. 高效的功率转换能力，得益于 GaN 技术带来的低导通电阻和快速开关速度。
2. 集成的驱动器减少了外部元件数量，从而降低了整体解决方案的成本和复杂度。
3. 内置多重保护功能，如过温保护和过流保护，提高了系统的安全性和可靠性。
4. 支持高达 5 MHz 的开关频率，使得磁性元件尺寸得以缩小，进一步提升了功率密度。
5. 极低的寄生电感设计，确保在高频操作下的稳定性和效率。
6. 适用于各种高要求的电源应用，包括快充适配器、服务器电源和工业设备电源。
GA0805H182JBXBT31G 广泛应用于以下领域：
1. USB-PD 快速充电器和适配器。
2. 高频 DC-DC 转换器。
3. 电信和网络设备中的高效电源模块。
4. 笔记本充电解决方案。
5. 工业自动化设备中的电源单元。
6. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关设备。
GaN0805H182JBXBT31G, GA0805H172JBXBT31G
