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IS43TR85120AL-125KBLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:23:56 查看 阅读:11

IS43TR85120AL-125KBLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该型号属于高速CMOS SRAM系列,适用于需要高速数据访问和低功耗的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有高性能和低功耗的特点,适用于需要快速数据存取的场合。

参数

容量:512K x 8位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:12ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:54引脚TSOP
  最大工作频率:83MHz
  输入/输出电压兼容性:CMOS/TTL兼容
  待机电流:最大10mA
  封装材料:符合RoHS标准

特性

IS43TR85120AL-125KBLI的主要特性包括高速访问时间、低功耗设计、宽电压范围支持以及高可靠性。其12ns的访问时间使得该芯片能够满足高速缓存和实时系统的应用需求。芯片采用低功耗CMOS技术,在待机模式下仅消耗极低电流,适合对功耗敏感的设备。该芯片支持2.3V至3.6V的电源电压范围,允许在多种电源条件下稳定工作。此外,它还具有CMOS/TTL兼容的输入输出信号,可方便地与其他数字电路连接。封装方面,该芯片采用54引脚TSOP封装,体积小且易于集成到PCB设计中。IS43TR85120AL-125KBLI的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境。该芯片的高可靠性设计使其在各种严苛环境中也能稳定运行。

应用

IS43TR85120AL-125KBLI广泛应用于工业控制设备、网络设备、通信设备、测试仪器以及嵌入式系统。由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片特别适合用作高速缓存、数据缓冲器或临时存储器。在工业自动化设备中,该芯片可用于存储程序或临时数据。在网络设备中,可用于高速数据包缓存。此外,该芯片也可用于消费类电子产品,如打印机、扫描仪等设备。

替代型号

IS43TR85120AL-125KBLI的替代型号包括ISSI的IS42S85120AL-125KBLI和IS43R85120AL-125KBLI。此外,Cypress Semiconductor的CY7C1041CV33和ON Semiconductor的MCM62089也具有类似功能,可根据具体需求选择替代。

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IS43TR85120AL-125KBLI产品

IS43TR85120AL-125KBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织512M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(9x10.5)