您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0805H123MBBBR31G

GA0805H123MBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 18:24:59 查看 阅读:3

GA0805H123MBBBR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及无线充电等场景。该器件采用了先进的封装技术,具有高开关频率、低导通电阻和高效率等特点。
  其设计特别适合于需要高性能和小型化的应用场合,能够显著提升系统的功率密度并降低热损耗。

参数

型号:GA0805H123MBBBR31G
  类型:GaN 功率晶体管
  最大漏源电压(Vds):650 V
  最大栅源电压(Vgs):±20 V
  连续漏极电流(Id):8 A
  导通电阻(Rds(on)):120 mΩ
  输入电容(Ciss):1440 pF
  输出电容(Coss):90 pF
  反向传输电容(Crss):25 pF
  最大工作结温:175 °C
  封装形式:TO-247-4L

特性

GA0805H123MBBBR31G 具备以下主要特性:
  1. 采用增强型氮化镓(e-mode GaN)技术,提供卓越的高频性能和低开关损耗。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  3. 高击穿电压 (650V),使其适用于多种高压应用场景。
  4. 封装具备四引脚结构,便于优化PCB布局并改善散热性能。
  5. 内置保护机制,可有效防止过压和短路等异常情况。
  6. 符合RoHS标准,确保环保要求。

应用

该芯片的主要应用领域包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的PFC(功率因数校正)电路。
  2. 高效DC-DC转换器,例如电动汽车充电桩中的功率模块。
  3. 快速充电适配器设计,以实现更小尺寸和更高功率密度。
  4. 工业电机驱动控制和太阳能逆变器。
  5. 无线充电发射端及接收端设备。
  6. 其他任何需要高效率、高开关速度的电力电子系统。

替代型号

GA0805H125MBBBR31G
  GA0805H130MBBBR31G
  GAN065R120PA

GA0805H123MBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-