时间：2025/6/3 18:24:59
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GA0805H123MBBBR31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及无线充电等场景。该器件采用了先进的封装技术，具有高开关频率、低导通电阻和高效率等特点。
其设计特别适合于需要高性能和小型化的应用场合，能够显著提升系统的功率密度并降低热损耗。
型号：GA0805H123MBBBR31G
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压(Vds)：650 V
最大栅源电压(Vgs)：±20 V
连续漏极电流(Id)：8 A
导通电阻(Rds(on))：120 mΩ
输入电容(Ciss)：1440 pF
输出电容(Coss)：90 pF
反向传输电容(Crss)：25 pF
最大工作结温：175 °C
封装形式：TO-247-4L
GA0805H123MBBBR31G 具备以下主要特性：
1. 采用增强型氮化镓（e-mode GaN）技术，提供卓越的高频性能和低开关损耗。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
3. 高击穿电压 (650V)，使其适用于多种高压应用场景。
4. 封装具备四引脚结构，便于优化PCB布局并改善散热性能。
5. 内置保护机制，可有效防止过压和短路等异常情况。
6. 符合RoHS标准，确保环保要求。
该芯片的主要应用领域包括：
1. 开关模式电源(SMPS)中的PFC（功率因数校正）电路。
2. 高效DC-DC转换器，例如电动汽车充电桩中的功率模块。
3. 快速充电适配器设计，以实现更小尺寸和更高功率密度。
4. 工业电机驱动控制和太阳能逆变器。
5. 无线充电发射端及接收端设备。
6. 其他任何需要高效率、高开关速度的电力电子系统。
GA0805H125MBBBR31G
GA0805H130MBBBR31G
GAN065R120PA
