GA0805A680JBCBR31G 是一种用于射频 (RF) 和微波应用的 GaAs(砷化镓)PIN 二极管芯片。该器件以其高频率性能、低插入损耗和高线性度而闻名,广泛应用于通信系统中的开关、衰减器和移相器等电路。
这种型号的 PIN 二极管具有出色的反向恢复时间和正向电流承载能力,使其在高频段表现出色,同时具备良好的耐热性和稳定性。
类型:PIN 二极管
材料:GaAs(砷化镓)
工作频率范围:DC 至 40 GHz
正向电压 (VF):约 2.5 V
最大正向电流 (IF):100 mA
反向击穿电压 (VR):-50 V
插入损耗:小于 0.2 dB(典型值)
隔离度:大于 40 dB(典型值)
封装形式:裸芯片
GA0805A680JBCBR31G 具有以下显著特点:
1. 高频率响应:能够在高达 40 GHz 的频率范围内稳定运行,适用于各种射频和微波应用。
2. 低插入损耗:其设计确保了信号传输过程中损耗最小化,从而提高了系统的整体效率。
3. 良好的线性度:即使在大功率输入条件下,也能保持较低的失真水平。
4. 快速切换能力:由于采用了先进的 GaAs 工艺技术,该二极管具备非常短的反向恢复时间,适合高速开关应用。
5. 稳定性:无论温度如何变化,都能保持一致的电气性能,保证了长期使用的可靠性。
6. 小型化设计:作为裸芯片,能够节省空间并简化装配过程。
该型号的二极管广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 射频和微波开关:在无线通信设备中用作信号路径控制元件。
2. 衰减器:通过调整正向偏置电流来实现对信号强度的精确控制。
3. 移相器:利用其非线性电容特性改变信号相位。
4. 混频器和倍频器:在雷达、卫星通信和其他高频系统中发挥重要作用。
5. 功率放大器保护电路:提供过载保护功能以避免损坏昂贵的射频组件。
GA0805A680JBCBR32G, GA0805A680JBCBR33G