H5TQ1G63DFR-PBC 时间：2025/9/2 11:41:34 阅读：9

H5TQ1G63DFR-PBC 是由SK hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别。该芯片专为低功耗应用设计，广泛应用于移动设备如智能手机、平板电脑以及其他需要高性能和低功耗存储解决方案的便携式电子产品中。

参数

类型：DRAM
　　制造商：SK hynix
　　型号：H5TQ1G63DFR-PBC
　　容量：1Gb
　　封装类型：FBGA
　　位宽：x16
　　接口：Mobile DDR SDRAM
　　工作电压：1.7V - 3.3V
　　最大时钟频率：166MHz
　　数据速率：333Mbps
　　封装尺寸：54-ball FBGA

特性

H5TQ1G63DFR-PBC 是一款专为移动设备设计的高性能低功耗DRAM芯片。其主要特性包括高密度存储容量（1Gb）、低电压操作范围（1.7V至3.3V），适用于多种便携式电子设备。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，确保了低功耗和高稳定性。其x16的数据位宽和高达333Mbps的数据速率使其能够满足高性能系统的需求。此外，它还支持多种电源管理模式，以进一步降低功耗，延长设备电池寿命。这款DRAM芯片的FBGA封装形式使其在PCB布局上更加灵活，适用于紧凑型设计。
　　此外，H5TQ1G63DFR-PBC 还具备良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定运行。其内部结构优化，确保了高速数据传输的可靠性，并减少了信号干扰。这些特性使得该芯片成为移动设备、嵌入式系统和便携式消费电子产品中的理想选择。

应用

H5TQ1G63DFR-PBC 广泛应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、智能手表等移动设备。此外，它还可用于嵌入式系统、工业控制设备、便携式医疗设备以及消费类电子产品，如多媒体播放器和电子书阅读器。由于其低功耗设计和高性能特性，该芯片也适用于需要长时间运行且对电池寿命有严格要求的物联网（IoT）设备。