GA0805A680FXABP31G 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率半导体器件,具体为 IGBT 模块。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种复合型电力电子器件,结合了 MOSFET 和双极晶体管的优点,具有高输入阻抗、快速开关速度和大电流承载能力。
该型号适用于高电压和大电流的工业场景,例如变频器、不间断电源(UPS)、电机驱动和新能源发电系统等。模块内部通常包含多个 IGBT 芯片以及反并联二极管,以实现高效的功率转换和控制。
额定电压:1200V
额定电流:450A
芯片面积:8寸晶圆
导通压降:约1.8V
开关时间:开通时间30ns,关断时间75ns
工作温度范围:-40℃至+150℃
封装形式:焊接型模块
GA0805A680FXABP31G 具备以下主要特性:
1. 高电压耐受能力,额定电压高达 1200V,适合高压应用场景。
2. 大电流处理能力,额定电流为 450A,能够支持高功率负载。
3. 快速开关性能,开通和关断时间短,有助于降低开关损耗。
4. 内置优化的续流二极管,提高了整体效率和可靠性。
5. 宽工作温度范围,适应恶劣环境下的稳定运行。
6. 焊接型封装设计,增强了散热性能和机械强度。
这款 IGBT 模块的设计使其能够在高频和高温条件下保持高效运行,同时减少能量损失和提高系统稳定性。
GA0805A680FXABP31G 广泛应用于以下领域:
1. 工业变频器:用于调节电机转速和扭矩,提高能效。
2. 不间断电源(UPS):在电力中断时提供稳定的备用电源。
3. 新能源发电:如太阳能逆变器和风力发电变流器中的功率转换。
4. 电动汽车驱动系统:用于电动车主逆变器模块,控制电机运行。
5. 焊接设备:为焊接过程提供精确的电流和电压控制。
6. 其他需要高性能功率转换的场合,例如电磁炉、感应加热等设备。
由于其高可靠性和高效性,这款 IGBT 模块成为许多高要求应用的理想选择。
GA0805A680FXABP21G
GA0805A680FXABP41G