GA0805A5R6BBEBR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,采用先进的增强型场效应晶体管(e-mode HEMT)设计。该器件适用于高频、高效率的电力转换应用,例如开关电源、DC-DC转换器以及太阳能逆变器等领域。其出色的开关性能和低导通电阻使其成为传统硅基MOSFET的理想替代方案。
该型号采用了底部散热封装,能够有效提高热性能,同时支持更高的功率密度。此外,由于其内置的保护功能和稳定的电气特性,GA0805A5R6BBEBR31G在各种工业和消费类应用中表现出色。
额定电压:650V
导通电阻:45mΩ
连续漏极电流:8A
栅极电荷:25nC
反向恢复时间:<10ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装类型:TO-247-3L
1. 高击穿电压,确保在高压条件下可靠运行。
2. 极低的导通电阻,减少传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关速度,适合高频应用。
4. 内置ESD保护,提升器件的抗静电能力。
5. 热阻较低,有助于优化散热性能。
6. 高功率密度设计,支持更紧凑的电路布局。
7. 符合RoHS标准,环保且无铅工艺制造。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 高效DC-DC转换器的核心组件。
3. 太阳能微型逆变器及储能系统。
4. 电动车充电设备中的功率级模块。
5. 工业电机驱动及控制单元。
6. LED驱动器和照明系统的功率调节部分。
GAN063-650WSA, IRG1006ZPBF, FDP177N65SBD