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GA0805A5R6BBEBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:00:27 查看 阅读:4

GA0805A5R6BBEBR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,采用先进的增强型场效应晶体管(e-mode HEMT)设计。该器件适用于高频、高效率的电力转换应用,例如开关电源、DC-DC转换器以及太阳能逆变器等领域。其出色的开关性能和低导通电阻使其成为传统硅基MOSFET的理想替代方案。
  该型号采用了底部散热封装,能够有效提高热性能,同时支持更高的功率密度。此外,由于其内置的保护功能和稳定的电气特性,GA0805A5R6BBEBR31G在各种工业和消费类应用中表现出色。

参数

额定电压:650V
  导通电阻:45mΩ
  连续漏极电流:8A
  栅极电荷:25nC
  反向恢复时间:<10ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装类型:TO-247-3L

特性

1. 高击穿电压,确保在高压条件下可靠运行。
  2. 极低的导通电阻,减少传导损耗并提高整体效率。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 内置ESD保护,提升器件的抗静电能力。
  5. 热阻较低,有助于优化散热性能。
  6. 高功率密度设计,支持更紧凑的电路布局。
  7. 符合RoHS标准,环保且无铅工艺制造。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 高效DC-DC转换器的核心组件。
  3. 太阳能微型逆变器及储能系统。
  4. 电动车充电设备中的功率级模块。
  5. 工业电机驱动及控制单元。
  6. LED驱动器和照明系统的功率调节部分。

替代型号

GAN063-650WSA, IRG1006ZPBF, FDP177N65SBD

GA0805A5R6BBEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容5.6 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-