时间：2025/6/9 16:57:05
阅读：34
GA0805A3R3BBEBT31G 是一种基于薄膜技术制造的多层陶瓷片式固定电容器。它属于 X7R 介质材料系列，具有良好的温度稳定性和高频特性，适用于各种电子设备中的滤波、耦合和去耦应用。
该型号的命名规则包含了其主要电气参数和封装信息，便于用户快速识别产品规格。
容量：0.047μF
额定电压：50V
公差：±10%
尺寸：0805英寸（2.0mm x 1.25mm）
介质材料：X7R
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
ESR（等效串联电阻）：<100mΩ
DF（耗散因数）：≤1%（1kHz，20℃）
GA0805A3R3BBEBT31G 的主要特性包括：
1. 使用 X7R 高稳定性陶瓷介质材料，在宽温度范围内保持稳定的电容值。
2. 小型化封装设计，适合高密度电路板布局。
3. 低 ESR 和低 DF 特性使其在高频应用中表现出色。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
5. 高可靠性，能够承受多次焊接热冲击。
6. 支持自动化表面贴装（SMT）工艺，提高生产效率。
这种电容器非常适合需要高性能和小体积的应用场景，如通信设备、消费类电子产品以及工业控制领域。
GA0805A3R3BBEBT31G 可广泛应用于以下领域：
1. 电源滤波电路，用于减少开关电源产生的噪声。
2. RF 耦合与解耦电路，确保信号完整性。
3. 音频设备中的旁路电容，提升音质。
4. 数据通信模块中的高频信号处理。
5. 工业自动化系统中的稳压电路。
6. 消费类电子产品的音频/视频电路中作为滤波元件。
由于其优良的性能和小型化设计，该电容器特别适合对空间和性能要求较高的现代电子设备。
C0805C474K4RACTU
GRM1555C1H474KA01D
KEMCAP-X7R-0805-47nF-10%-50V
