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GA0805A390KBEBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 10:55:08 查看 阅读:7

GA0805A390KBEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  该型号属于沟道增强型MOSFET系列,适用于要求高效率和低功耗的应用场景。通过优化的封装设计和材料选择,这款芯片能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:5.4A
  导通电阻:39mΩ
  栅极电荷:15nC
  开关时间:ton=15ns, toff=12ns
  结温范围:-55℃至175℃

特性

GA0805A390KBEBR31G具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用,减少开关损耗。
  3. 高可靠性设计,能够在极端温度范围内稳定工作。
  4. 小型化封装,节省PCB空间,便于紧凑型设计。
  5. 具备良好的热性能,有助于延长器件寿命并提升整体可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

该芯片广泛应用于各类电力电子设备中,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 消费类电子产品中的负载开关
  5. 工业自动化控制中的电机驱动
  6. 通信设备中的电源管理模块
  这些应用场景均需要高效能、高可靠性的功率开关解决方案,而GA0805A390KBEBR31G正是理想的选择。

替代型号

GA0805A390KBER31G
  IRF740
  FDP015N06L

GA0805A390KBEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容39 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-