类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：40V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于电流和型号后缀）
　　频率响应（fT）：100MHz典型值

2N4200晶体管具有良好的电流放大能力和较高的工作频率，适用于音频放大器、信号开关和低频驱动电路。
　　其TO-92封装结构紧凑，便于安装在各种尺寸的PCB板上，并具备良好的散热性能。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，允许设计人员根据具体需求选择合适增益等级的器件，从而优化电路性能。
　　此外，2N4200具有较低的饱和压降（VCE(sat)），使其在开关应用中效率更高，减少功耗和发热。
　　该晶体管能够在较宽的温度范围内稳定工作，适应性较强，适用于工业和消费类电子产品。

2N4200 主要用于以下类型的电子电路：
　　1. 音频放大器电路：作为前置放大器或低频功率放大器使用，驱动扬声器或后续放大级。
　　2. 开关电路：用于控制LED、继电器、小型电机等负载的通断，常见于自动化控制系统中。
　　3. 数字电路中的驱动器：作为晶体管-晶体管逻辑（TTL）或CMOS逻辑门的输出驱动，提高输出电流能力。
　　4. 电压调节电路：在简单的稳压电路或恒流源电路中作为调整元件。
　　5. 信号处理电路：如射频信号放大、脉冲信号整形等场合。
　　6. 教育和实验用途：广泛用于电子工程教学实验中，帮助学生理解晶体管的工作原理和应用方法。

2N3904, BC547, 2N2222, PN2222, MPS2222