时间：2025/5/10 16:57:16
阅读：9
GA0805A390FBABR31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 结构，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电器以及其他高性能电力电子设备。
由于其出色的性能，GA0805A390FBABR31G 在减少能量损耗和提高系统效率方面表现优异，同时支持更高的工作频率，从而可以缩小无源元件的尺寸并降低整体系统的成本与体积。
型号：GA0805A390FBABR31G
类型：增强型 GaN 功率晶体管
工作电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻：39mΩ（典型值）
栅极电荷：75nC（最大值）
反向恢复电荷：无（由于 GaN 的结构特性）
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装形式：TO-247-3
1. 高击穿电压：高达 650V 的耐压能力确保了 GA0805A390FBABR31G 可以在高压环境中稳定运行。
2. 极低的导通电阻：仅为 39mΩ 的典型导通电阻使得传导损耗显著降低，提高了整体效率。
3. 快速开关速度：得益于 GaN 技术的固有优势，该器件拥有极短的开关时间和低栅极电荷，适用于高频应用。
4. 零反向恢复电荷：由于 GaN 的独特物理特性，该器件不存在传统 Si MOSFET 中的反向恢复问题，进一步提升了效率。
5. 热稳定性强：能够在 -40℃ 至 +125℃ 的宽温范围内正常工作，适合各种恶劣环境下的应用。
6. 小型化设计：通过使用更少的无源元件，帮助设计者减小整体系统尺寸。
1. 开关电源（SMPS）：
适用于高效率 AC-DC 和 DC-DC 转换器，特别是在需要高频工作的场景中。
2. 图形卡供电：
为高性能 GPU 提供高效且紧凑的电源解决方案。
3. 数据中心电源：
用于数据中心服务器的高效电源转换，提升能源利用率。
4. 无线充电：
支持更高功率的无线充电设备，实现快速充电功能。
5. 工业电机驱动：
用于工业控制中的高效逆变器和变频器设计。
6. 汽车电子：
应用于电动汽车车载充电器（OBC）以及 DC-DC 转换器，满足汽车级可靠性要求。
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
GAN065-650WSA
