GA0805A270KBABT31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,专为高频和高效率应用场景设计。该型号属于增强型场效应晶体管(eGaN FET),具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力,能够显著提升电力电子系统的效率和功率密度。
其主要应用领域包括 DC-DC 转换器、电机驱动、无线充电设备以及消费类快充适配器等。
额定电压:650V
连续漏极电流:100A
导通电阻:27mΩ
栅极电荷:45nC
输入电容:2300pF
反向恢复时间:30ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA0805A270KBABT31G 的核心优势在于其采用先进的 GaN 技术,使其具备以下特点:
1. 极低的导通电阻(27mΩ),从而降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,支持 MHz 级别的开关频率,非常适合高频应用。
3. 减小寄生参数的影响,进一步优化动态性能。
4. 小型化的封装设计,有助于提升整体功率密度。
5. 宽温区操作能力(-55℃ 至 +175℃),满足工业级或汽车级需求。
此外,该器件还具备出色的热稳定性和可靠性,适用于要求严苛的环境条件。
这款 GaN 功率晶体管广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器,用于实现高效能量转换。
2. 快速充电器市场中的高频 AC-DC 和 PFC 模块。
3. 电动工具、无人机及其他便携式电子设备中的电机驱动电路。
4. 无线充电站及电动汽车充电基础设施。
5. 工业自动化控制系统的电源部分,例如伺服驱动和逆变器。
GA0805A270KBAHT29G
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