FN03B221K500PLG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沛体功率 MOSFET 芯片。该芯片主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用中,能够提供高效率的功率转换和低导通电阻特性。
该器件采用沟槽式 MOSFET 技术,优化了动态性能和静态参数,使其非常适合需要高频率操作和高能效的应用场景。
型号:FN03B221K500PLG
类型:N 沟道 MOSFET
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,@ VGS=10V)
ID(连续漏极电流):98A
Qg(栅极电荷):45nC
EAS(雪崩能量):750mJ
封装:PGL
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
FN03B221K500PLG 具有以下显著特性:
1. 极低的 RDS(on),可以有效减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力,最大支持 98A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
3. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷 (Qg),适合高频应用场景。
4. 增强型热性能设计,有助于在高功耗条件下保持稳定的运行状态。
5. 具备良好的雪崩能力和抗静电能力,提高了器件的可靠性和耐用性。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺生产。
FN03B221K500PLG 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS) 中的功率转换模块。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 新能源汽车的电池管理系统 (BMS) 和 DC-DC 转换器。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备的功率调节系统。
6. 数据中心服务器电源和通信电源解决方案。
FDP035N06L, IRF640N, STP90NF06