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GA0805A221GXBBP31G 发布时间 时间:2025/5/24 11:20:43 查看 阅读:20

GA0805A221GXBBP31G 是一款高性能的功率晶体管,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,在保持高可靠性和稳定性的前提下,提供了卓越的电气性能。其封装形式适合高密度电路板设计,并且具备良好的散热特性。
  该晶体管在导通电阻、开关速度和耐压能力方面表现出色,能够满足工业和消费电子领域的多种需求。

参数

型号:GA0805A221GXBBP31G
  类型:功率MOSFET
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ
  Id(持续漏极电流):50A
  Qg(栅极电荷):25nC
  fT(截止频率):1.5MHz
  封装:TO-263

特性

GA0805A221GXBBP31G 具有低导通电阻和快速开关特性,使其成为高效功率转换的理想选择。它采用了最新的半导体技术来优化其动态性能和静态性能。此外,其出色的热特性和坚固的设计确保了其在恶劣环境下的可靠性。
  主要特点包括:
  - 极低的导通电阻(Rds(on)),从而降低传导损耗。
  - 高速开关能力,有助于减少开关损耗。
  - 良好的热稳定性,适用于长时间连续工作。
  - 符合RoHS标准,环保且安全。
  - 封装设计紧凑,易于安装并兼容自动贴片设备。
  这些特性使该晶体管特别适合于需要高效率和高可靠性的应用场景,例如服务器电源、通信电源以及各种工业控制设备。

应用

GA0805A221GXBBP31G 广泛应用于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)中的同步整流器或主开关。
  - 电机驱动电路,尤其是大功率直流无刷电机控制系统。
  - 各种负载切换和保护电路,如过流保护和短路保护。
  - 工业自动化设备中的功率级控制。
  - 汽车电子系统中的电源管理模块。
  凭借其优异的性能和可靠性,这款功率MOSFET可以显著提高系统的整体效率和稳定性。

替代型号

GA0805A221GXBBP32G, IRF840, FDP5700

GA0805A221GXBBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-