FHU4N60 时间：2025/5/10 8:56:33 阅读：6

FHU4N60是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用TO-220封装，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适合高频开关应用。
　　作为一款垂直结构的功率MOSFET，FHU4N60通过优化设计降低了开关损耗，并提升了系统的效率与可靠性。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：4.4A
　　导通电阻：3.4Ω（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：29nC（典型值）
　　总耗散功率：115W（在TA=25℃时）
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

FHU4N60采用了先进的工艺技术，具有以下主要特性：
　　1. 高击穿电压，能够承受高达600V的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
　　2. 低导通电阻，有效减少导通损耗，提升系统效率。
　　3. 快速开关速度，降低开关损耗，适合高频开关应用。
　　4. 较低的栅极电荷，减少了驱动电路的负担。
　　5. 热稳定性好，能够在宽温度范围内可靠工作。
　　6. 封装形式为标准TO-220，便于安装和散热。

应用

FHU4N60适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流或高频开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率开关。
　　4. 逆变器及UPS不间断电源中的功率级。
　　5. 各种负载开关和保护电路。
　　其高耐压和高效能的特点使其成为工业控制、消费电子和汽车电子的理想选择。