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GA0805A220GXEBP31G 发布时间 时间:2025/7/1 3:36:05 查看 阅读:7

GA0805A220GXEBP31G 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的功率电子器件,通常用于高频、高效能开关应用。该器件采用增强型 HEMT(高电子迁移率晶体管)结构开关速度的特点。其设计适用于需要高效率和高功率密度的应用场景,如电源适配器、数据中心电源、无线充电器和工业电源等。该型号中的具体参数和封装形式针对特定的应用需求进行了优化。

参数

额定电压:650V
  导通电阻:220mΩ
  最大电流:8A
  栅极电荷:45nC
  输入电容:980pF
  反向恢复时间:无(由于 GaN 的特性,没有反向恢复问题)
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃

特性

GA0805A220GXEBP31G 具有以下显著特性:
  1. 基于氮化镓(GaN)材料,提供比传统硅基 MOSFET 更高的开关频率和更低的导通损耗。
  2. 极低的栅极电荷和输出电荷,有助于减少驱动损耗并提高整体效率。
  3. 高温稳定性,在极端条件下仍能保持良好的性能。
  4. 小尺寸封装,适合对空间要求严格的紧凑型设计。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的鲁棒性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  7. 不含反向恢复电荷问题,进一步提升了高频下的性能表现。

应用

该型号广泛应用于以下领域:
  1. AC-DC 和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  2. USB PD(Power Delivery)快充解决方案的核心组件。
  3. 数据中心服务器电源和电信设备中的高效功率转换。
  4. 无线充电发射端及接收端电路设计。
  5. 消费类电子产品中的小型化适配器和充电器。
  6. 工业自动化设备中的开关电源模块。

替代型号

GA0805A220KXEBP31G, GA0805A150GXEBP31G

GA0805A220GXEBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容22 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-