时间：2025/4/27 11:31:44
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GA0805A1R8DXCBP31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，采用先进的封装设计。该器件具有高效率、高开关频率和低导通电阻的特点，适用于需要高性能电源管理的应用场景。
此型号是 GaN Systems 公司的产品之一，专为高频和高效能应用设计，能够显著提升系统性能并减小整体尺寸。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：8A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复电荷：无
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
GA0805A1R8DXCBP31G 采用了增强型 GaN 技术，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，可减少传导损耗，提高系统效率。
2. 支持高频开关操作，适合要求快速响应的应用。
3. 高度可靠的封装结构，确保在恶劣环境下的长期稳定性。
4. 内置保护功能，提供更高的安全性和可靠性。
5. 减少了寄生参数的影响，从而优化了动态性能。
这款 GaN 功率晶体管广泛应用于各种高性能领域：
1. 服务器和通信设备中的 AC/DC 转换器。
2. 数据中心电源模块。
3. 消费类快充适配器。
4. 工业电机驱动控制。
5. 新能源汽车充电设施中的 DC/DC 转换器。
其高频和高效的优势使其成为现代电力电子系统的理想选择。
GS61008P
GAN063-650WSA
