时间：2025/6/16 16:20:44
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GA0805A1R0BXEBP31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用了先进的封装技术和低寄生电感结构，适合在电源转换器、DC-DC变换器和射频放大器等应用中使用。其高开关速度和低导通电阻使其成为提高系统效率的理想选择。
该型号属于增强型 GaN FET 系列，具有内置驱动保护功能，可有效防止过流和过热现象，同时简化了电路设计流程。由于其出色的性能和可靠性，GA0805A1R0BXEBP31G 在工业和消费电子领域中得到了广泛应用。
额定电压：650V
额定电流：8A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：40nC
开关频率：最高 10MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247-3
1. 高效功率传输能力：得益于氮化镓材料的独特属性，GA0805A1R0BXEBP31G 提供了显著优于传统硅基 MOSFET 的功率密度。
2. 超快开关速度：能够支持高达 10MHz 的开关频率，使得电源系统的设计更加紧凑且高效。
3. 内置保护机制：集成过流保护（OCP）与过温保护（OTP），增强了器件的可靠性和安全性。
4. 低导通电阻：仅为 120mΩ 的 Rds(on)，降低了导通损耗并提升了整体效率。
5. 易于驱动：较低的栅极阈值电压和优化的驱动条件使外部驱动电路设计更为简便。
6. 稳定性高：即使在极端温度条件下也能保持稳定的电气性能。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电设备
4. 射频功率放大器
5. 工业电机驱动
6. 新能源汽车充电桩
7. 快速充电适配器
GAN008-650WSA
GAN009-650WSA
Transphorm TPH3206PS
