时间：2025/6/17 9:36:23
阅读：6
SI3447CDV 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 的一部分）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和其他功率管理应用。
此型号中的后缀 '-T1-E3' 表示其采用了 TO-252 (DPAK) 封装，并且符合汽车级 AEC-Q101 标准。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：22A
导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：34nC
总电容：1550pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
功耗：44W
SI3447CDV 具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。此外，它还具备快速开关能力，可以有效降低开关损耗。
由于采用了先进的 TrenchFET 工艺，该器件能够在高温环境下保持稳定的性能，非常适合汽车电子及其他严苛环境下的应用。
另外，它的高雪崩能量能力和 ESD 保护特性进一步增强了其可靠性。
该 MOSFET 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关的场合，包括但不限于：
1. 汽车电子系统中的负载切换与电源管理。
2. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
3. 电机控制及驱动电路。
4. 便携式设备中的电池充电管理。
5. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
SI4447DY, IRF3710, FDP5580
